選用mosfet或者是igbt的問題 |
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缺席
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roy955
一般會員   發表：32 回覆：16 積分：9 註冊：2005-04-12 發送簡訊給我 |
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版主   發表：261 回覆：2302 積分：1667 註冊：2005-01-04 發送簡訊給我 |
看須求, 依你的須要其實兩者皆可. 一般會用IGBT是耐壓與耐流較大, 須要較大耐壓與耐流(做大power的)的便會選用IGBT, 但是IGBT的切換頻率無法太高, 一般100KHz以下. 詳細還要看每個元件的datasheet. 而MOSFET則是耐壓與耐流較小, 但其切換頻率可超過100KHz.(詳細也是須看每個元件的datasheet才準). 一般在MOSFET耐壓耐流範圍內,都會選用MOSFET. 這些差異性你去查一下一些MOSFET與IGBT的Datasheet,比較一下規格,就可以知道其中異同.
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------------------------------------------------------------------------- 走是為了到另一境界，停是為了欣賞人生；未走過千山萬水，怎知生命的虛實與輕重！？ |
發表時間：2005-08-25 23:42:03
IP:220.142.xxx.xxx 未訂閱
系統時間：2024-05-17 13:29:22
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