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半橋電路驅動訊號....請教

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阿鴻
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#1 引用回覆 回覆 發表時間:2005-08-24 12:29:09 IP:218.168.xxx.xxx 未訂閱
請教這兩種訊號若驅動Mosfet半橋電路,哪一種比較不會有誤動作造成上下Mosfet短路的情況... 若我使用約輸出1200W頻率為20KHZ-45KHZ左右的交換式電源(電壓為220VAC) 使用半橋OR全橋電路比較恰當... 謝謝 不好意思...貼錯版位...煩請版主幫忙移到線性電路區...謝謝 發表人 - 阿鴻 於 2005/08/24 12:30:49 發表人 - 阿鴻 於 2005/08/24 16:50:22

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#2 引用回覆 回覆 發表時間:2005-08-24 17:11:17 IP:211.22.xxx.xxx 未訂閱
你的驅動信號我看不太清楚,可以說明一下嗎? 另外可以畫一下你所謂的半橋電路嗎?
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走是為了到另一境界,停是為了欣賞人生;未走過千山萬水,怎知生命的虛實與輕重!?
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#3 引用回覆 回覆 發表時間:2005-08-25 18:03:02 IP:218.168.xxx.xxx 未訂閱
謝謝版主回應... 補上圖檔.... 主要想法是hi和lo中間有一段時間讓mosfet上下皆為off狀態,以免mosfet誤動作短路燒毀...另是否可減少mosfet開啟電阻Rds造成的元件發熱...謝謝

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#4 引用回覆 回覆 發表時間:2005-08-25 23:05:15 IP:59.113.xxx.xxx 未訂閱
1>應是紅色信號較佳. 全off的時間不用太長, 幾u sec就夠了. 2>MOSFET DS端並聯一個Diode吧.
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#5 引用回覆 回覆 發表時間:2005-08-25 23:33:17 IP:61.217.xxx.xxx 未訂閱
感恩..謝謝 我使用TL494震盪40KHZ左右的PWM方波.現電路上的缺點為MOSFET偶爾會有上下短路造成燒毀的狀況.參考switch power及MOSFET的書籍提到使用全橋電路可改善此電路缺點..但礙於元件要多一倍.所以才想用這種方式看是否可改善.. MOSFET使用IRFP460內部D.S腳位已有二極體所以才未接上.但IRFP460的Rds電阻值為0.27歐姆.輸出電流加大為5A時.雖並聯3個MOSFET還是會發燙...是否有Rds較低的mosfet(約200w/500v)? 紅色部分的間段型方波我該用什麼電路才能產生.... 謝謝指導 發表人 - 阿鴻 於 2005/08/25 23:35:07

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#6 引用回覆 回覆 發表時間:2005-08-26 00:06:06 IP:59.113.xxx.xxx 未訂閱
1>請問你是驅動什麼呢?可以的話降低操作頻率就可改善熱的問題, 此外加個散熱片吧. Rds低的開關要找喔, 不過差異應該不大.因為頂多差個零點幾, 你切換頻率很高的話改善效果並不佳,甚至差異很小.    2> dead-time的波形加2個反相器, 中間串一電阻並一個電容就ok了.可加在tl494跟驅動電路間. 像這樣 : 
 
        反相器--R-----反相器---->輸出
                   |
                 c
                 |
                GND
你可先用麵包版試試. 發表人 - ㊣ 於 2005/08/26 00:09:47
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#7 引用回覆 回覆 發表時間:2005-08-26 22:38:00 IP:59.112.xxx.xxx 未訂閱
謝謝.... 我的負載是超音波震盪子.1個50W並聯24個為1200W.應是電容性負載... 線路部份現以量產..想再做修正用.. 謝謝
系統時間:2024-05-17 10:06:50
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