想問一個關於mos的問題,不知版主們是否知道? 何謂基體效應(body effect)??解釋之

由汲極空乏區產生的電荷或高電場撞擊游離效應產生的電荷會累積在中性的基板區域和汲極源極形成寄生的雙極性電晶體BJT， 當浮動基板所累積的電荷造成基板電位提升時，元件的臨界電壓會隨著基板電壓的上升而下降，這就是熟知的基板效應(Body Effect).... 如有謬誤，歡迎指正

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走是為了到另一境界，停是為了欣賞人生；未走過千山萬水，怎知生命的虛實與輕重！？

jason dan 您好, 請修改您的標題為有意義的標題. 謝謝!

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走是為了到另一境界，停是為了欣賞人生；未走過千山萬水，怎知生命的虛實與輕重！？

Body effect :    MOS正常工作時 , 必須保持基體(call Body or substrate) 對通道的逆向偏壓 , 因為[B端對S端的逆偏電壓]大小 , 而對 [通道有效厚度]的調變效應 , 就叫做Body effect    這在所有單載子為通道的所有MOS都會產生的現象 . 由下圖為一般NMOS FET剖面圖 : 綠色部分就是一般二極體n側的空乏區厚度 第二張是放大 n通道<---->基體 的等效二極體示意圖 (1)當Vgs , Vds不變,且Vsb 上升時 : 則通道有效厚度減小(綠色部分往上擠壓通道) , 有效的通道截面積(A)縮小 , 利用Rds(D-S端通道等效電阻值) = (電阻係數) * L(通道長度) / A 可得--> Rds上升 , 因為Vds = id * Rds 可得--> id下降 再利用飽和區工作方程式id = K (Vgs -Vt)2 <---平方 在K , Vgs均固定之下 可得-->Vt上升 (2)由(1)可得 Vsb上升 --> Vt上升 若有需要,在一般電子學或半導體物理書中都有此兩關係之方程式 (3)就是因為有Body effect所以 在一般離散電路中-->B端與S端相連 , 使得Vsb =0 , Vt固定在Vto<--(Vsb=0時的Vt值) 在IC中 , 若無法將B端與S端相連時 會將 NMOS --> B端接至最負電壓源 PMOS --> B端接至最正電壓源 雖然可能還是會有Body effect但至少使基體與通道保持逆偏. p.s.至於爲什麼不看B端對D端的逆偏電壓 , 而是要看B端對S端的逆偏電壓 , 這是因為通常D端電壓 > S端電壓 , 若Vbs都已經逆偏了 , 就可以確定Vbd也逆偏了 , 也就可以保證整個MOS基體對通道都逆偏 . Tim 發表人 - Smile_Lin 於 2005/10/25 16:04:13