IR2104 高惻驅動失敗 |
答題得分者是:阿信
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nfoostf
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各位好!
想請問一下 我用ir2104做了一個馬達驅動電路 如下 參考如下 http://218.16.124.207/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=755194&bbs_page_no=1&search_mode=4&search_text=shuen729&bbs_id=9999 還有波型 "> 其中 vcc=15.8v vs = 43.7v 這個電路lay完後我用兩馬達試過 一顆24v 90w 一顆42v 90w 兩顆的阻抗都在2.多歐姆 使用時24v馬達驅動正常 但在驅動42v馬達就出問題了 不知為什麼一直在上橋的部份一直驅動失敗 波形會上昇但都不能維持住 我試過自舉電容從0.1u到100uf都沒有用 只有在pwm在30%以下才會正常 我在站上還有網路上找了許多資料都不能解決問題 驅動信號在上橋部份in是恆high 下橋部份in則是與sd反向的 還有上橋的pwm的low部份總是不能拉到0這樣正常嗎? 謝謝!!
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HI |
nfoostf
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阿信
版主 發表:111 回覆:983 積分:813 註冊:2005-03-10 發送簡訊給我 |
>PWM = LOW時HO無法下拉到地是否正常?
當然不正常! /SD是shutdown暫停輸出,工作時應持續為High! 但你的/SD卻是輸入PWM波形@@~ 用真值表分析,這是反邏輯, EN1為致能,工作時保持為High。 IN1經U4A反相後給U2-IN。 IN2經U4B反相後給U1-IN。 U4C為保護,當兩個輸入都為High時,啟動shutdown。 正常的工作波形, 正轉:EN1:High,IN2:High,IN1:PWM 0%:馬達全速、50%半速、100%停止 反轉:EN1:High,IN1:High,IN2:PWM 0%:馬達全速、50%半速、100%停止 剎車:EN1:High,IN1:High,IN2:High。 釋放:EN1:Low或EN1:High,IN1:Low,IN2:Low。 自舉電容請用10uF 阿信~
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阿信 重新編輯於 2010-06-24 13:25:02, 註解 無‧
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nfoostf
一般會員 發表:1 回覆:8 積分:1 註冊:2010-06-21 發送簡訊給我 |
===================引 用 阿信 文 章=================== >PWM = LOW時HO無法下拉到地是否正常? 這樣做有問題嗎? 因為在導通的時候HIGH SIDE的IN 是恆HIGH LOWSIDE的IN是PWM 我需要在IN為HIGH的時候把PWM關掉 而依邏輯電路而言LOWSIDE的PWM和PWM是反向的 剛好符合需求所以可以正常輸出 這有什麼邏輯或其他方面的錯誤嗎? 用真值表分析,這是反邏輯, EN1為致能,工作時保持為High。 IN1經U4A反相後給U2-IN。 IN2經U4B反相後給U1-IN。 U4C為保護,當兩個輸入都為High時,啟動shutdown。 正常的工作波形, 正轉:EN1:High,IN2:High,IN1:PWM 0%:馬達全速、50%半速、100%停止 反轉:EN1:High,IN1:High,IN2:PWM 0%:馬達全速、50%半速、100%停止 剎車:EN1:High,IN1:High,IN2:High。 釋放:EN1:Low或EN1:High,IN1:Low,IN2:Low。 自舉電容請用10uF 10u我有用過但是不行我一直試到100uf 等我依板主説的邏輯在試一次 還有我發現把VCC和COM的電容加大 可以使電路在一定電壓以下不會失效 但不清楚原因 謝謝!
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HI
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阿信 重新編輯於 2010-06-25 23:00:18, 註解 無‧
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nfoostf
一般會員 發表:1 回覆:8 積分:1 註冊:2010-06-21 發送簡訊給我 |
謝謝板主
依你說所說的改變input 邏輯狀態 目前已經能正常作動了 不過還有幾個問題 1.高端輸出突波 : 在每一次的導通總會有一個高達146v的突波電壓 這是什麼原因呢? 2.mosfet溫度偏高 : 目前測試的結果除了低端的導通mos微溫以外 其它三顆mos都有明顯的溫昇現像 溫度在40~50度上下 而以沒有電流 流過的下端mos溫度最高(50左右) 我的 vcc電壓15.6v vs電壓是42v 電流0.2~0.4a pwm頻率 8k 自舉電容為 2.2uf 鉭質電容
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HI
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nfoostf 重新編輯於 2010-06-25 12:16:12, 註解 無‧
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阿信
版主 發表:111 回覆:983 積分:813 註冊:2005-03-10 發送簡訊給我 |
請注意左右都有MOSFET!
H橋有四顆MOSFET, 左側Hi:VT2,Lo:VT4, 右側Hi:VT1,Lo:VT3。 當正轉,輸入信號為 : EN1:High,IN2:High,IN1:PWM 此時,VT4(R3)的電壓與IN1:PWM同相,微溫; VT2(R1)的電壓與IN1:PWM反相,微溫; VT3(R4)持續為High,較高溫; VT1(R2)持續為Low,低溫。 VCC是必須要有一顆大電容100uF以上, 功率愈高,這顆電容要愈大! 馬達本身也是發電機, 當它在轉動時,會切割磁力線,產生電場, 也就是反電動勢(BEMF), 轉速愈高,反電動勢愈大。 反電動勢是以電流的型態表現, 轉換成電壓時, 依歐姆定律V=IR,V為反電動勢電壓,I為反電動勢,R為迴路電阻。 當使用電源供應器供電時, 其逆向是不導通的,迴路電阻大, 這就造成電流無處釋放,電壓也就上升了! 解決之道是: 1.使用電池供電(必須加上保險絲),其本身迴路電阻很小, 可吸收反電動勢。 2.使用且具反向電流吸收功能的電源供應器。 3.製作模擬電池,也就是電源供應器與電子負載合體。 四顆MOSFET上要反向並聯schottky diode。 VCC電容要加至少100uF,自舉電容要用10uF~22uF。 2.mosfet溫度偏高 : 目前測試的結果除了低端的導通mos微溫以外 其它三顆mos都有明顯的溫昇現像 溫度在40~50度上下 而以沒有電流 流過的下端mos溫度最高(50左右) 我的 vcc電壓15.6v vs電壓是42v 電流0.2~0.4a pwm頻率 8k 自舉電容為 2.2uf 鉭質電容
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阿信 重新編輯於 2010-06-26 07:22:31, 註解 無‧
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阿信
版主 發表:111 回覆:983 積分:813 註冊:2005-03-10 發送簡訊給我 |
依歐姆定律V=IR,V為反電動勢電壓,I為反電動勢電流,R為迴路電阻。
如果將馬達換成電阻,則不會有任何反電動勢。 反電動勢要吸收,否則可能損壞電源供應器或MOSFET。 模擬電池,可使用電源供應器並聯電子負載, 電源供應器設42V,電子負載設42.1V。 或是參考 http://www.dzjs.net/html/dianziDIY/2007/0208/1567.html 電池模擬仿真電路 溫度: MOSFET內阻約23mΩ,流過1A電流時,產生W=I*I*R=1*1*0.023=0.023W, 流過3A時,W=I*I*R=3*3*0.023=0.207W, 流過10A時,W=I*I*R=10*10*0.023=2.3W。 一般TO220包裝,在不加散熱片時,只能承受約1W功率, 會發熱是正常的,真正工作時,需加上散熱片。 阿信~
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阿信 重新編輯於 2010-06-26 08:37:07, 註解 無‧
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nfoostf
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謝謝阿信版主!
突波問題昨天解決了 我LAY了一塊新的版子就好了 這是我新畫的電路圖 除了ZENER和10K下地沒接 以及邏輯閘部分還是用NAND邏輯外 我目前用的版子就是這樣的配置了 還有幾個問題想問一下 1.為什麼自舉電容要用到10UF呢 我用公式算的話也不到1UF所以我本來打算用1UF的 2.版主說的100UF指的事用在VCC端還是用在10~20V端 我在網路上看到的IR2110的範例好像都沒用到這麼多 3.在板子上我的GATE閘電源和IR用的電源都是317轉出來的 GATE為3.4V可是我只要把控制信號接上就會有1.1V的壓差 控制信號為也為3.4V左右這是甚麼原因呢? 謝謝!!
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HI
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nfoostf 重新編輯於 2010-07-01 10:39:13, 註解 無‧
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阿信
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nfoostf
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===================引 用 阿信 文 章=================== 1.D13,是參考那個電路? 請問放回的意思是? 了解 一下子忘記了應該要相對於vs 4.D3 D4 D5 D6,有點怪! 了解 6.突波應是控制信號的問題! 7.自舉電容必須在整個高端MOS導通時, 一直保持在10V以上電壓。 8.>在板子上我的GATE閘電源 這個問題我聽不懂! 你有幾個電壓源? VCC:馬達,15V:IR2104,5V:TTL Logic ? 目前是 馬達vcc 42v or 24v ir2104 12v TTL IC 3.3V 輸入TTLIC控制信號電壓 3.3V 我的意思是說當我吧控制信號電壓加在TTLIC時 當我把電源供應器打開還沒開始加上電源時 就有一個1.1V的電壓在電源供應器上顯示 謝謝!!!!
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nfoostf
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nfoostf
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