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使用MOS驅動REALY,該如何選用MOS??

答題得分者是:ScottWang
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#1 引用回覆 回覆 發表時間:2011-06-04 01:16:38 IP:111.255.xxx.xxx 訂閱
小弟近日想用MOS驅動REALY,此MOS的型號為TPC8201
問題來了...我看規格書上Vdss的耐壓是30V,雖然驅動用12V的REALY綽綽有餘
但是,由於是電感性負載在MOS關閉時會產生約50V的跨壓(由示波器觀察得知),
雖然目前使用都正常,但想請問長期下來會導致MOS損壞嗎??
另外此規格書中的第6頁的最後面有寫到EAS 的算法,
有人能幫小弟解惑一下他寫這些公式到底是要怎麼算出我負載截止時的凸波能量??
IAR是要怎麼算出呢?? 我只有示波器可以看...
mymj
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#2 引用回覆 回覆 發表時間:2011-06-24 22:24:20 IP:210.64.xxx.xxx 訂閱
不管任何元件驅動relay都要在relay端並聯一只吸收反相電壓的二極體
如果微控制器驅動(不管直街或間接)relay沒接反相電壓吸收二極體,可能發生因突波使微控制器當機及燒毀驅動元件

mymj
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#3 引用回覆 回覆 發表時間:2011-06-25 00:13:34 IP:111.255.xxx.xxx 訂閱

===================引 用 mymj 文 章===================
不管任何元件驅動relay都要在relay端並聯一只吸收反相電壓的二極體
如果微控制器驅動(不管直街或間接)relay沒接反相電壓吸收二極體,可能發生因突波使微控制器當機及燒毀驅動元件

mymj

但是如此做法,被驅動的元件的截止時間是否就會被拉長....

ScottWang
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#4 引用回覆 回覆 發表時間:2011-06-25 12:48:16 IP:59.115.xxx.xxx 訂閱
 其實不管是BJT電晶體或MOSFET推動的Relay電路,所要考慮的不僅是兩者的耐壓而已,還要考慮到當Relay截止時所產生的反電動勢,而這個反電動勢會破壞BJT和FET,所以需要加一個反向保護二極體,以保護BJT和FET,以下是以動畫的方式,展示有加保護二極體時,Relay開與關之間的電流流向.
如下圖所示
http://www.eng.uwi.tt/depts/elec/staff/rdefour/ee33d/s3_fwd.html
Relay是一個電感性元件,看似簡單,其實它是有三種電流狀態,並非單純的ON/OFF而已,所以在使用它時,若能了解它的消耗電流大小,使用起來將會更得心應手.
1. 啟動電流 : Relay由OFF狀態到接點能夠吸住的電流.
2. 工作電流 : Relay在正常工作時的消耗電流.
3. 保持電流 : Relay在工作時,把電流降低後,仍能把接點吸住的最低工作電流.
以下的網頁中,有提供一些Relay推動電路.
http://www.bowdenshobbycircuits.info/page9.htm
在下圖中的Rbe 820 Ω,就是為了要加速Relay截止用的,沒有加此電阻時,當推動的電路OFF時,Relay從ON到OFF會有一小段的時間延遲,在某些不要求OFF時間的場合,可以不加此電阻,如下網頁前幾個電路所示.
http://www.bowdenshobbycircuits.info/page9.htm
電晶體推動Relay電路.
http://www.bowdenshobbycircuits.info/toggle3.gif
在下圖中的Rgs 3.3K,也是為了加速Relay截止用的.
MOSFET推動Relay電路.
http://www.bowdenshobbycircuits.info/toggle7.gif
Relay在OFF時,所產生的反電動勢,其電壓會超過原來電壓的兩倍以上,一般的安全考量,會以最低4倍來規劃,也就是說從4到10倍以上不等,依據不同的需求,而有不同的耐壓設計.
綜合以上的敘述,所以在Relay的電路應用上,除了BJT和FET外,保護二極體也是同樣要考慮到耐壓,而三者的耐壓是以最少要用Relay的供應電壓的4倍以上來計算,所以一般都是以1N4001~4007來做保護二極體,而耐壓為50~1000V,像我大都以1N4004~4007來用,也就是耐壓400~1000V,所以並不會煩腦BJT或FET被破壞的問題.
1N4001~4007 datasheet:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/surge/1N4004.pdf
------
高壓模組,高壓直流電源供應器(全範圍可調電壓電流),中低壓直流電源供應器,電壓放大器,
電流放大器,帶通濾波器,高精度參考電壓,標準電壓,恆流源(定電流源),恆壓源(定電壓源),
測試LED專用AC LED定電流源,專門接受訂製,設計生產各種特殊規格,高精度產品,學校實驗室,
研究單位實驗設備,另可接受其它電子專案設計,HV Power,Vmax=20KV,Imax=2000A.
http://hvpower.myweb.hinet.net/
...Scott Wang...
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ScottWang 重新編輯於 2011-06-24 22:52:54, 註解 無‧
ScottWang 重新編輯於 2011-06-24 23:09:45, 註解 無‧
ScottWang 重新編輯於 2011-06-24 23:12:18, 註解 無‧
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#5 引用回覆 回覆 發表時間:2011-06-26 22:17:40 IP:111.255.xxx.xxx 訂閱
感謝各版主這麼用心幫我解答...
承ScottWang大所說...這隻保護的二極體會幫忙釋放感性負載的能量
但是重點來了他也會延遲關閉時間...
另外您說的多加BE極之間的電阻這是為了縮短電晶體開關時間沒錯
但是我所說的會導致時間延遲的並非是電晶體的截止時間過長
而是因為這隻二極體他讓負載持續釋放電流所以才延長...
所以我才會想要用耐壓較高的MOS來"撐住"這反向電壓
才需要去找合適的MOS....
ScottWang
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#6 引用回覆 回覆 發表時間:2011-06-28 04:57:02 IP:218.161.xxx.xxx 訂閱
 基本上BJT或MOSFET的耐壓與保護二極體的耐壓,其要求是不相同的,BJT和MOSFET只要以Relay的工作電壓的4倍就已足夠,而二極體的耐壓要求,需要4倍到10倍以上,主要是加上保護二極體後,反電動勢的時間不長,而且也不是加壓在BJT或MOSFET上,在BJT或MOSFET反向電壓就是二極體的0.7V而已,所以不用像二極體那樣的耐壓,其反向電流流向已用之前的動畫說明了.
若是沒有加上二極體做保護,你所擔心才會發生的.
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...Scott Wang...
系統時間:2017-10-23 6:35:44
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